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首页 > 电子元器件选型 > 晶体管 > 功率双极晶体管

JANS2N3635UB

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JANS2N3635UB
已加入BOM:

Microchip Technology Inc
  • Microchip Technology Inc
  • Semicoa Semiconductors
  • VPT Components

Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Ceramic, Metal-Sealed Cofired, 3 Pin,

市场均价：
-
市场总库存：
-
生命周期状态： Contact Manufacturer
8.4危险风险等级:设计产品长期
技术详情

详细参数

生命周期
Contact Manufacturer
是否符合REACH标准
unknown
COO
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搜索热度
26
风险等级
8.38
最大集电极电流 (IC)
1 A
基于收集器的最大容量
10 pF
集电极-发射极最大电压
140 V
配置
SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)
60
最大降落时间（tf）
150 ns
JESD-30 代码
R-CDSO-N3
元件数量
1
端子数量
3
最高工作温度
200 °C
最低工作温度
-65 °C
封装主体材料
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
极性/信道类型
PNP
功耗环境最大值
0.5 W
最大功率耗散 (Abs)
1.5 W
参考标准
MIL-PRF-19500; MIL-STD-750
最大上升时间（tr）
100 ns
表面贴装
YES
端子形式
NO LEAD
端子位置
DUAL
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
最大关闭时间（toff）
650 ns
最大开启时间（吨）
200 ns
VCEsat-Max
0.6 V
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