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Transistors > Power Bipolar Transistors

JAN2N3635UB/TR

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JAN2N3635UB/TR
Added to BOM:

Microchip Technology Inc

Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Ceramic, Metal-Sealed Cofired, 3 Pin

Market Average：
¥157.2436
Total Inventory：
-
Lifecycle Status： Active
7.3HighRisk Rank:DesignProductionLong Term
Technical Details
Price & Stock
Xrefs

Parametrics

Part Life Cycle Code
Active
Reach Compliance Code
unknown
Country Of Origin
登录后查看
Factory Lead Time
22 weeks
Popularity
0
Risk Rank
7.35
YTEOL
登录后查看
Collector Current-Max (IC)
1 A
Collector-Base Capacitance-Max
10 pF
Collector-Emitter Voltage-Max
140 V
Configuration
SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE)
60
JESD-30 Code
R-CDSO-N3
Number of Elements
1
Number of Terminals
3
Operating Temperature-Max
200 °C
Operating Temperature-Min
-65 °C
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
SMALL OUTLINE
Polarity/Channel Type
PNP
Power Dissipation Ambient-Max
1 W
Power Dissipation-Max (Abs)
1.5 W
Reference Standard
MIL-PRF-19500
Surface Mount
YES
Terminal Form
NO LEAD
Terminal Position
DUAL
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
VCEsat-Max
0.6 V
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