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JAN1N5187/TR

加入BOM

JAN1N5187/TR
已加入BOM:

Microchip Technology Inc

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon

市场均价：
-
市场总库存：
-
生命周期状态： Active
7.5危险风险等级:设计产品长期
技术详情

详细参数

是否Rohs认证
不符合
生命周期
Active
是否符合REACH标准
unknown
COO
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交付时间
24 weeks
搜索热度
0
风险等级
7.55
YTEOL
登录后查看
其他特性
HIGH RELIABILITY
应用
FAST RECOVERY
最小击穿电压
240 V
外壳连接
ISOLATED
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)
1.5 V
JESD-30 代码
O-LALF-W2
最大非重复峰值正向电流
80 A
元件数量
1
相数
1
端子数量
2
最高工作温度
175 °C
最低工作温度
-65 °C
最大输出电流
3 A
封装主体材料
GLASS
封装形状
ROUND
封装形式
LONG FORM
参考标准
MIL-PRF-19500
最大重复峰值反向电压
200 V
最大反向电流
2 µA
最大反向恢复时间
0.2 µs
反向测试电压
200 V
表面贴装
NO
端子形式
WIRE
端子位置
AXIAL
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