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Transistors > Power Field-Effect Transistors

IXFR32N80P

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IXFR32N80P
Added to BOM:

Littelfuse Inc
  • IXYS Corporation
  • Littelfuse Inc

Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 800V, 0.29ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ISOPLUS247, 3 PIN

Market Average：
¥107.1918
Total Inventory：
76
Lifecycle Status： Transferred
8.2DanRisk Rank:DesignProductionLong Term
Technical Details
Price & Stock

Parametrics

Pbfree Code
不含铅
Rohs Code
符合
Part Life Cycle Code
Transferred
Package Description
ISOPLUS247, 3 PIN
Pin Count
3
Reach Compliance Code
compliant
ECCN Code
EAR99
Popularity
54
Risk Rank
8.18
Additional Feature
AVALANCHE RATED
Avalanche Energy Rating (Eas)
1500 mJ
Case Connection
ISOLATED
Configuration
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min
800 V
Drain Current-Max (ID)
20 A
Drain-source On Resistance-Max
0.29 Ω
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code
R-PSFM-T3
JESD-609 Code
e1
Number of Elements
1
Number of Terminals
3
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Polarity/Channel Type
N-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
70 A
Qualification Status
Not Qualified
Surface Mount
NO
Terminal Finish
TIN SILVER COPPER
Terminal Form
THROUGH-HOLE
Terminal Position
SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)
10
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
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