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Transistors > Power Field-Effect Transistors

IRLR024NTRRPBF

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IRLR024NTRRPBF
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Infineon

Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3

Market Average：
-
Total Inventory：
-
Lifecycle Status： Obsolete
8.4DanRisk Rank:DesignProductionLong Term
Technical Details
Price & Stock

Parametrics

Source Content uid
IRLR024NTRRPBF
Rohs Code
符合
Part Life Cycle Code
Obsolete
Reach Compliance Code
not_compliant
ECCN Code
EAR99
Popularity
41
Risk Rank
8.38
Additional Feature
LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
Avalanche Energy Rating (Eas)
68 mJ
Case Connection
DRAIN
Configuration
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min
55 V
Drain Current-Max (ID)
17 A
Drain-source On Resistance-Max
0.08 Ω
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code
TO-252AA
JESD-30 Code
R-PSSO-G2
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level
1
Number of Elements
1
Number of Terminals
2
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max
175 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
SMALL OUTLINE
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Polarity/Channel Type
N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)
45 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
72 A
Qualification Status
Not Qualified
Surface Mount
YES
Terminal Finish
Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Terminal Form
GULL WING
Terminal Position
SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)
30
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
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