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Transistors > Power Field-Effect Transistors

IRL1404LPBF

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IRL1404LPBF
Added to BOM:

Infineon

Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 40V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, TO-262, 3 PIN

Market Average：
-
Total Inventory：
-
Lifecycle Status： Obsolete
9.2DanRisk Rank:DesignProductionLong Term
Technical Details
Price & Stock
Xrefs

Parametrics

Part Life Cycle Code
Obsolete
Package Description
IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code
compliant
ECCN Code
EAR99
Popularity
29
Risk Rank
9.23
YTEOL
登录后查看
Additional Feature
AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE
Avalanche Energy Rating (Eas)
520 mJ
Case Connection
DRAIN
Configuration
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min
40 V
Drain Current-Max (ID)
160 A
Drain-source On Resistance-Max
0.004 Ω
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code
TO-262AA
JESD-30 Code
R-PSIP-T3
Number of Elements
1
Number of Terminals
3
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
IN-LINE
Polarity/Channel Type
N-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
640 A
Surface Mount
NO
Terminal Form
THROUGH-HOLE
Terminal Position
SINGLE
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
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