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IRL1404LPBF

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IRL1404LPBF
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Infineon

Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 40V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, TO-262, 3 PIN

市场均价：
-
市场总库存：
-
生命周期状态： Obsolete
9.2危险风险等级:设计产品长期
技术详情
价格 & 库存
替代料

详细参数

生命周期
Obsolete
包装说明
IN-LINE, R-PSIP-T3
是否符合REACH标准
compliant
ECCN代码
EAR99
搜索热度
29
风险等级
9.23
YTEOL
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其他特性
AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）
520 mJ
外壳连接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
40 V
最大漏极电流 (ID)
160 A
最大漏源导通电阻
0.004 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码
TO-262AA
JESD-30 代码
R-PSIP-T3
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)
640 A
表面贴装
NO
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
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