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Transistors > Power Field-Effect Transistors

IRFU420

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IRFU420
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Harris Semiconductor
  • Harris Semiconductor
  • International Rectifier
  • ISC 无锡固电
  • Vishay

Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA

Market Average：
-
Total Inventory：
395
Lifecycle Status： Transferred
8.3DanRisk Rank:DesignProductionLong Term
Technical Details
Price & Stock

Parametrics

Rohs Code
不符合
Part Life Cycle Code
Transferred
Reach Compliance Code
unknown
ECCN Code
EAR99
HTS Code
8541.29.00.95
Popularity
341
Risk Rank
8.33
Avalanche Energy Rating (Eas)
210 mJ
Case Connection
DRAIN
Configuration
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min
500 V
Drain Current-Max (ID)
2.5 A
Drain-source On Resistance-Max
3 Ω
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code
TO-251AA
JESD-30 Code
R-PSIP-T3
JESD-609 Code
e0
Number of Elements
1
Number of Terminals
3
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
IN-LINE
Polarity/Channel Type
N-CHANNEL
Power Dissipation Ambient-Max
50 W
Power Dissipation-Max (Abs)
42 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
8 A
Qualification Status
Not Qualified
Surface Mount
NO
Terminal Finish
Tin/Lead (Sn/Pb)
Terminal Form
THROUGH-HOLE
Terminal Position
SINGLE
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Turn-off Time-Max (toff)
60 ns
Turn-on Time-Max (ton)
33 ns
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