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Transistors > Power Field-Effect Transistors

IRFR3709Z

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IRFR3709Z
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Infineon
  • Infineon
  • International Rectifier
  • ISC 无锡固电

Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, PLASTIC, DPAK-3

Market Average：
-
Total Inventory：
-
Lifecycle Status： Obsolete
8.6DanRisk Rank:DesignProductionLong Term
Technical Details
Price & Stock

Parametrics

Rohs Code
不符合
Part Life Cycle Code
Obsolete
Package Description
PLASTIC, DPAK-3
Reach Compliance Code
unknown
ECCN Code
EAR99
Popularity
395
Risk Rank
8.59
Avalanche Energy Rating (Eas)
100 mJ
Case Connection
DRAIN
Configuration
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min
30 V
Drain Current-Max (ID)
30 A
Drain-source On Resistance-Max
0.0065 Ω
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code
TO-252AA
JESD-30 Code
R-PSSO-G2
JESD-609 Code
e0
Moisture Sensitivity Level
1
Number of Elements
1
Number of Terminals
2
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max
175 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
SMALL OUTLINE
Peak Reflow Temperature (Cel)
NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type
N-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
340 A
Qualification Status
Not Qualified
Surface Mount
YES
Terminal Finish
Tin/Lead (Sn/Pb)
Terminal Form
GULL WING
Terminal Position
SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)
NOT SPECIFIED
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
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