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IRFR3504ZTRLPBF

加入BOM

IRFR3504ZTRLPBF
已加入BOM:

Infineon

Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 40V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3

市场均价：
-
市场总库存：
-
生命周期状态： Active
6.6高风险等级:设计产品长期
技术详情
价格 & 库存

详细参数

Source Content uid
IRFR3504ZTRLPBF
是否Rohs认证
符合
生命周期
Active
包装说明
LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3
是否符合REACH标准
not_compliant
ECCN代码
EAR99
搜索热度
3
风险等级
6.59
雪崩能效等级（Eas）
77 mJ
外壳连接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
40 V
最大漏极电流 (ID)
42 A
最大漏源导通电阻
0.009 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)
190 pF
JEDEC-95代码
TO-252AA
JESD-30 代码
R-PSSO-G2
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
元件数量
1
端子数量
2
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
175 °C
最低工作温度
-55 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
90 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
310 A
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子面层
Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式
GULL WING
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
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