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IRFR2307Z

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IRFR2307Z
已加入BOM:

Infineon
  • Infineon
  • International Rectifier
  • ISC 无锡固电

Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 75V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, PLASTIC, DPAK-3

市场均价：
-
市场总库存：
-
生命周期状态： Not Recommended
8.3危险风险等级:设计产品长期
技术详情
价格 & 库存

详细参数

是否Rohs认证
不符合
生命周期
Not Recommended
包装说明
PLASTIC, DPAK-3
是否符合REACH标准
unknown
ECCN代码
EAR99
搜索热度
7591
风险等级
8.26
YTEOL
登录后查看
其他特性
AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）
100 mJ
外壳连接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
75 V
最大漏极电流 (ID)
42 A
最大漏源导通电阻
0.016 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码
TO-252AA
JESD-30 代码
R-PSSO-G2
JESD-609代码
e0
湿度敏感等级
1
元件数量
1
端子数量
2
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)
210 A
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
GULL WING
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
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