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IRF9Z34NSTRLPBF

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IRF9Z34NSTRLPBF
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Infineon

Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 55V, 0.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3

市场均价：
-
市场总库存：
-
生命周期状态： Transferred
7.1高风险等级:设计产品长期
技术详情
价格 & 库存

详细参数

是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
生命周期
Transferred
包装说明
LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3
针数
3
是否符合REACH标准
not_compliant
ECCN代码
EAR99
搜索热度
1668
风险等级
7.14
其他特性
AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）
180 mJ
外壳连接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
55 V
最大漏极电流 (ID)
19 A
最大漏源导通电阻
0.1 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码
R-PSSO-G2
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
元件数量
1
端子数量
2
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
175 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）
260
极性/信道类型
P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)
68 A
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子面层
Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式
GULL WING
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
30
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
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