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IRF9Z24STRR

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IRF9Z24STRR
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Vishay
  • International Rectifier
  • Vishay

Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3

市场均价：
-
市场总库存：
4,040
生命周期状态： Obsolete
8.2危险风险等级:设计产品长期
技术详情
价格 & 库存
替代料

详细参数

生命周期
Obsolete
包装说明
TO-263, D2PAK-3
是否符合REACH标准
unknown
搜索热度
12
风险等级
8.19
其他特性
AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）
240 mJ
外壳连接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
60 V
最大漏极电流 (ID)
11 A
最大漏源导通电阻
0.28 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码
TO-263AB
JESD-30 代码
R-PSSO-G2
JESD-609代码
e0
元件数量
1
端子数量
2
工作模式
ENHANCEMENT MODE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
极性/信道类型
P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)
44 A
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子面层
TIN LEAD
端子形式
GULL WING
端子位置
SINGLE
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
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