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IPL65R165CFDAUMA1

加入BOM

IPL65R165CFDAUMA1
已加入BOM:

Infineon

Power Field-Effect Transistor, 21.3A I(D), 650V, 0.165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 8 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, GREEN, LEADLESS, PLASTIC, THINPAK, VSON-4

市场均价：
-
市场总库存：
1,250
生命周期状态： Obsolete
8.6危险风险等级:设计产品长期
技术详情
价格 & 库存
替代料

详细参数

Source Content uid
IPL65R165CFDAUMA1
是否Rohs认证
符合
生命周期
Obsolete
包装说明
VSON-4
是否符合REACH标准
not_compliant
ECCN代码
EAR99
交付时间
4 weeks
搜索热度
290
风险等级
8.6
YTEOL
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雪崩能效等级（Eas）
614 mJ
外壳连接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
650 V
最大漏极电流 (ID)
21.3 A
最大漏源导通电阻
0.165 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码
S-PSSO-N4
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
2A
元件数量
1
端子数量
4
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
最低工作温度
-40 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
SQUARE
封装形式
SMALL OUTLINE
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
195 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
67 A
表面贴装
YES
端子面层
Tin (Sn)
端子形式
NO LEAD
端子位置
SINGLE
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
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