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Transistors > Power Field-Effect Transistors

IPL65R165CFDAUMA1

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IPL65R165CFDAUMA1
Added to BOM:

Infineon

Power Field-Effect Transistor, 21.3A I(D), 650V, 0.165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 8 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, GREEN, LEADLESS, PLASTIC, THINPAK, VSON-4

Market Average：
-
Total Inventory：
-
Lifecycle Status： Obsolete
8.6DanRisk Rank:DesignProductionLong Term
Technical Details
Price & Stock

Parametrics

Source Content uid
IPL65R165CFDAUMA1
Rohs Code
符合
Part Life Cycle Code
Obsolete
Package Description
VSON-4
Reach Compliance Code
not_compliant
ECCN Code
EAR99
Factory Lead Time
4 weeks
Popularity
287
Risk Rank
8.61
Avalanche Energy Rating (Eas)
614 mJ
Case Connection
DRAIN
Configuration
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min
650 V
Drain Current-Max (ID)
21.3 A
Drain-source On Resistance-Max
0.165 Ω
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code
S-PSSO-N4
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level
2A
Number of Elements
1
Number of Terminals
4
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max
150 °C
Operating Temperature-Min
-40 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
SQUARE
Package Style
SMALL OUTLINE
Polarity/Channel Type
N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)
195 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
67 A
Surface Mount
YES
Terminal Finish
Tin (Sn)
Terminal Form
NO LEAD
Terminal Position
SINGLE
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
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