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IKW25N120H3XK

加入BOM

IKW25N120H3XK
已加入BOM:

Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

市场均价：
¥20.8352
市场总库存：
-
生命周期状态： Active
7.6危险风险等级:设计产品长期
技术详情
价格 & 库存

详细参数

Source Content uid
IKW25N120H3XK
是否Rohs认证
符合
生命周期
Active
包装说明
GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
是否符合REACH标准
compliant
ECCN代码
EAR99
交付时间
19 weeks
搜索热度
46
风险等级
7.64
最大集电极电流 (IC)
50 A
集电极-发射极最大电压
1200 V
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码
TO-247
JESD-30 代码
R-PSFM-T3
元件数量
1
端子数量
3
最高工作温度
175 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
N-CHANNEL
表面贴装
NO
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
POWER CONTROL
晶体管元件材料
SILICON
标称断开时间 (toff)
397 ns
标称接通时间 (ton)
61 ns
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