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IGW50N65H5FKSA1

加入BOM

IGW50N65H5FKSA1
已加入BOM:

Infineon

Insulated Gate Bipolar Transistor,

市场均价:
¥13.651
市场总库存:
1,362
生命周期状态: Active
1.2风险等级:设计产品长期
技术详情
价格 & 库存

详细参数

Source Content uid
IGW50N65H5FKSA1
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
生命周期
Active
是否符合REACH标准
compliant
ECCN代码
EAR99
交付时间
19 weeks
搜索热度
70
风险等级
1.18
外壳连接
COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)
80 A
集电极-发射极最大电压
650 V
配置
SINGLE
门极发射器阈值电压最大值
4.8 V
门极-发射极最大电压
20 V
JEDEC-95代码
TO-247
JESD-30 代码
R-PSFM-T3
JESD-609代码
e3
元件数量
1
端子数量
3
最高工作温度
175 °C
最低工作温度
-40 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
305 W
表面贴装
NO
端子面层
Tin (Sn)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
晶体管应用
POWER CONTROL
晶体管元件材料
SILICON
标称断开时间 (toff)
231 ns
标称接通时间 (ton)
35 ns
VCEsat-Max
2.1 V
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