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Transistors > Power Field-Effect Transistors

HUF75637P3

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HUF75637P3
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Rochester Electronics LLC
  • ISC 无锡固电
  • ON Semiconductor
  • Rochester Electronics LLC

44A, 100V, 0.03ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

Market Average：
¥6.701
Total Inventory：
8,392
Lifecycle Status： Active
6.8HighRisk Rank:DesignProductionLong Term
Technical Details
Price & Stock

Parametrics

Pbfree Code
不含铅
Rohs Code
符合
Part Life Cycle Code
Active
Reach Compliance Code
unknown
Popularity
33
Risk Rank
6.76
Case Connection
DRAIN
Configuration
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min
100 V
Drain Current-Max (ID)
44 A
Drain-source On Resistance-Max
0.03 Ω
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code
TO-220AB
JESD-30 Code
R-PSFM-T3
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level
NOT APPLICABLE
Number of Elements
1
Number of Terminals
3
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
Peak Reflow Temperature (Cel)
NOT APPLICABLE
Polarity/Channel Type
N-CHANNEL
Qualification Status
COMMERCIAL
Surface Mount
NO
Terminal Finish
MATTE TIN
Terminal Form
THROUGH-HOLE
Terminal Position
SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)
NOT APPLICABLE
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
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