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H5PS1G83KFR-S5I

加入BOM

H5PS1G83KFR-S5I
已加入BOM:

SKHynix 海力士

DDR DRAM, 128MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60

市场均价：
-
市场总库存：
-
生命周期状态： Obsolete
9.6危险风险等级:设计产品长期
技术详情
替代料

详细参数

是否Rohs认证
符合
生命周期
Obsolete
包装说明
TFBGA,
是否符合REACH标准
unknown
ECCN代码
EAR99
HTS代码
8542.32.00.32
搜索热度
16
风险等级
9.6
访问模式
MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间
0.4 ns
其他特性
AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码
R-PBGA-B60
长度
9.5 mm
内存密度
1073741824 bit
内存集成电路类型
DDR DRAM
内存宽度
8
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
60
字数
134217728 words
字数代码
128000000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
组织
128MX8
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TFBGA
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）
260
座面最大高度
1.2 mm
自我刷新
YES
最大供电电压 (Vsup)
1.9 V
最小供电电压 (Vsup)
1.7 V
标称供电电压 (Vsup)
1.8 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子形式
BALL
端子节距
0.8 mm
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
20
宽度
7.5 mm
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