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H5PS1G83KFR-S5I

加入BOM

H5PS1G83KFR-S5I
已加入BOM:

SKHynix 海力士

DDR DRAM, 128MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60

市场均价：
-
市场总库存：
-
生命周期状态： Obsolete
9.6危险风险等级:设计产品长期
技术详情

详细参数

是否Rohs认证
符合
生命周期
Obsolete
包装说明
TFBGA,
是否符合REACH标准
unknown
ECCN代码
EAR99
HTS代码
8542.32.00.32
搜索热度
16
风险等级
9.6
YTEOL
登录后查看
访问模式
MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间
0.4 ns
其他特性
AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码
R-PBGA-B60
长度
9.5 mm
内存密度
1073741824 bit
内存集成电路类型
DDR DRAM
内存宽度
8
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
60
字数
134217728 words
字数代码
128000000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
组织
128MX8
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TFBGA
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）
260
座面最大高度
1.2 mm
自我刷新
YES
最大供电电压 (Vsup)
1.9 V
最小供电电压 (Vsup)
1.7 V
标称供电电压 (Vsup)
1.8 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子形式
BALL
端子节距
0.8 mm
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
20
宽度
7.5 mm
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