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Transistors > RF Power Bipolar Transistors

FMB150

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FMB150
Added to BOM:

RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.500 INCH, FM-4

Market Average：
-
Total Inventory：
-
Lifecycle Status： Active
6.5HighRisk Rank:DesignProductionLong Term
Technical Details

Parametrics

Part Life Cycle Code
Active
Package Description
FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
Pin Count
4
Reach Compliance Code
unknown
Country Of Origin
登录后查看
ECCN Code
EAR99
Popularity
2
Risk Rank
6.46
YTEOL
登录后查看
Additional Feature
BUILT IN EMITTER BALLAST RESISTOR
Collector Current-Max (IC)
16 A
Collector-Base Capacitance-Max
140 pF
Collector-Emitter Voltage-Max
25 V
Configuration
SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE)
20
Highest Frequency Band
VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 Code
O-CRFM-F4
Number of Elements
1
Number of Terminals
4
Operating Temperature-Max
200 °C
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Shape
ROUND
Package Style
FLANGE MOUNT
Polarity/Channel Type
NPN
Power Dissipation-Max (Abs)
230 W
Qualification Status
Not Qualified
Surface Mount
NO
Terminal Form
FLAT
Terminal Position
RADIAL
Transistor Application
AMPLIFIER
Transistor Element Material
SILICON
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