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Transistors > Power Field-Effect Transistors

DMTH6009LPS-13

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DMTH6009LPS-13
Added to BOM:

Diodes Incorporated

Power Field-Effect Transistor,

Market Average：
¥1.8527
Total Inventory：
15,016
Lifecycle Status： Active
1.7LowRisk Rank:DesignProductionLong Term
Technical Details
Price & Stock

Parametrics

Rohs Code
符合
Part Life Cycle Code
Active
Reach Compliance Code
not_compliant
ECCN Code
EAR99
Factory Lead Time
20 weeks
Popularity
201
Risk Rank
1.67
Avalanche Energy Rating (Eas)
20.6 mJ
Case Connection
DRAIN
Configuration
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min
60 V
Drain Current-Max (ID)
11.76 A
Drain-source On Resistance-Max
0.01 Ω
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss)
41 pF
JESD-30 Code
R-PDSO-F8
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level
1
Number of Elements
1
Number of Terminals
8
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max
175 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
SMALL OUTLINE
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Polarity/Channel Type
N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)
136 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
350 A
Reference Standard
MIL-STD-202
Surface Mount
YES
Terminal Finish
MATTE TIN
Terminal Form
FLAT
Terminal Position
DUAL
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
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