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DMTH6009LPS-13

加入BOM

DMTH6009LPS-13
已加入BOM:

Diodes Incorporated

Power Field-Effect Transistor,

市场均价：
¥6.3998
市场总库存：
23,691
生命周期状态： Active
1.6低风险等级:设计产品长期
技术详情
价格 & 库存
替代料

详细参数

是否Rohs认证
符合
生命周期
Active
是否符合REACH标准
not_compliant
ECCN代码
EAR99
交付时间
12 weeks
搜索热度
201
风险等级
1.64
雪崩能效等级（Eas）
20.6 mJ
外壳连接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
60 V
最大漏极电流 (ID)
11.76 A
最大漏源导通电阻
0.01 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)
41 pF
JESD-30 代码
R-PDSO-F8
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
元件数量
1
端子数量
8
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
175 °C
最低工作温度
-55 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）
260
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
136 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
350 A
参考标准
MIL-STD-202
表面贴装
YES
端子面层
MATTE TIN
端子形式
FLAT
端子位置
DUAL
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
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