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首页 > 电子元器件选型 > 晶体管 > 小信号场效应晶体管

DMTH4008LFDFWQ-13

加入BOM

DMTH4008LFDFWQ-13
已加入BOM:

Diodes Incorporated

Small Signal Field-Effect Transistor,

市场均价：
¥2.4465
市场总库存：
283,920
生命周期状态： Active
1.6低风险等级:设计产品长期
技术详情
价格 & 库存
替代料

详细参数

是否Rohs认证
符合
生命周期
Active
包装说明
DFN2020-6
是否符合REACH标准
compliant
ECCN代码
EAR99
交付时间
12 weeks
Date Of Intro
2018-05-16
搜索热度
56
风险等级
1.58
雪崩能效等级（Eas）
32.4 mJ
外壳连接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
40 V
最大漏极电流 (ID)
11.6 A
最大漏源导通电阻
0.0115 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)
27 pF
JESD-30 代码
S-PDSO-N6
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
元件数量
1
端子数量
6
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
175 °C
最低工作温度
-55 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
SQUARE
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）
260
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
2.35 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
80 A
参考标准
AEC-Q101; IATF 16949; MIL-STD-202
表面贴装
YES
端子面层
Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式
NO LEAD
端子位置
DUAL
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
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