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Transistors > Power Field-Effect Transistors

DMT4003SCT

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DMT4003SCT
Added to BOM:

Diodes Incorporated
  • Diodes Incorporated
  • ISC 无锡固电

Power Field-Effect Transistor,

Market Average：
¥6.4898
Total Inventory：
142
Lifecycle Status： Active
2.3LowRisk Rank:DesignProductionLong Term
Technical Details
Price & Stock

Parametrics

Rohs Code
符合
Part Life Cycle Code
Active
Reach Compliance Code
not_compliant
ECCN Code
EAR99
Factory Lead Time
8 weeks
Popularity
108
Risk Rank
2.28
YTEOL
登录后查看
Avalanche Energy Rating (Eas)
215 mJ
Configuration
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min
40 V
Drain Current-Max (ID)
205 A
Drain-source On Resistance-Max
0.003 Ω
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss)
21.4 pF
JEDEC-95 Code
TO-220AB
JESD-30 Code
R-PSFM-T3
JESD-609 Code
e3
Number of Elements
1
Number of Terminals
3
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max
150 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Polarity/Channel Type
N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)
156 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
350 A
Surface Mount
NO
Terminal Finish
MATTE TIN
Terminal Form
THROUGH-HOLE
Terminal Position
SINGLE
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
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