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Transistors > Power Field-Effect Transistors

DMPH4013SPSQ-13

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DMPH4013SPSQ-13
Added to BOM:

Diodes Incorporated

Power Field-Effect Transistor,

Market Average：
-
Total Inventory：
2,500
Lifecycle Status： Active
7.6DanRisk Rank:DesignProductionLong Term
Technical Details
Price & Stock

Parametrics

Rohs Code
符合
Part Life Cycle Code
Active
Reach Compliance Code
not_compliant
ECCN Code
EAR99
Factory Lead Time
20 weeks
Popularity
185
Risk Rank
7.58
Avalanche Energy Rating (Eas)
260 mJ
Case Connection
DRAIN
Configuration
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min
40 V
Drain Current-Max (ID)
69 A
Drain-source On Resistance-Max
0.013 Ω
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss)
403 pF
JESD-30 Code
R-PDSO-G5
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level
1
Number of Elements
1
Number of Terminals
5
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max
175 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
SMALL OUTLINE
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Polarity/Channel Type
P-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)
3.3 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
277 A
Reference Standard
AEC-Q101
Surface Mount
YES
Terminal Finish
MATTE TIN
Terminal Form
FLAT
Terminal Position
DUAL
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
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