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CY7C261-25TMB

加入BOM

CY7C261-25TMB
已加入BOM:

Teledyne e2v

Memory IC

市场均价：
-
市场总库存：
-
生命周期状态： Active
7.5高风险等级:设计产品长期
技术详情
替代料

详细参数

生命周期
Active
包装说明
,
是否符合REACH标准
compliant
ECCN代码
3A001.A.2.C
HTS代码
8542.32.00.61
搜索热度
0
风险等级
7.47
最长访问时间
25 ns
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-CDFP-F24
长度
15.367 mm
内存密度
65536 bit
内存集成电路类型
UVPROM
内存宽度
8
功能数量
1
端子数量
24
字数
8192 words
字数代码
8000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-55 °C
组织
8KX8
输出特性
3-STATE
封装主体材料
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码
WDFP
封装等效代码
FL24,.4
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLATPACK, WINDOW
并行/串行
PARALLEL
编程电压
12.5 V
座面最大高度
2.54 mm
最大待机电流
0.04 A
最大压摆率
0.14 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
端子形式
FLAT
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
宽度
9.652 mm
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