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CY7C1392KV18-250BZXC

加入BOM

CY7C1392KV18-250BZXC
已加入BOM:

Infineon

DDR SRAM, 2MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165

市场均价：
¥1829.3679
市场总库存：
1,411
生命周期状态： Obsolete
9.5危险风险等级:设计产品长期
技术详情
价格 & 库存

详细参数

是否Rohs认证
符合
生命周期
Obsolete
包装说明
FBGA-165
是否符合REACH标准
compliant
搜索热度
21
风险等级
9.53
YTEOL
登录后查看
最长访问时间
0.45 ns
其他特性
PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)
250 MHz
I/O 类型
SEPARATE
JESD-30 代码
R-PBGA-B165
JESD-609代码
e1
长度
15 mm
内存密度
16777216 bit
内存集成电路类型
DDR SRAM
内存宽度
8
湿度敏感等级
3
功能数量
1
端子数量
165
字数
2097152 words
字数代码
2000000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
0 °C
组织
2MX8
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
LBGA
封装等效代码
BGA165,11X15,40
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）
260
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
1.4 mm
最大待机电流
0.25 A
最小待机电流
1.7 V
最大压摆率
0.37 mA
最大供电电压 (Vsup)
1.9 V
最小供电电压 (Vsup)
1.7 V
标称供电电压 (Vsup)
1.8 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式
BALL
端子节距
1 mm
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
30
宽度
13 mm
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