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BSZ160N10NS3GATMA1

加入BOM

BSZ160N10NS3GATMA1
已加入BOM:

Infineon

Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8

市场均价：
¥4.9029
市场总库存：
63,734
生命周期状态： Active
2.2低风险等级:设计产品长期
技术详情
价格 & 库存

详细参数

Source Content uid
BSZ160N10NS3GATMA1
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
符合
生命周期
Active
包装说明
TSDSON-8
针数
8
是否符合REACH标准
not_compliant
ECCN代码
EAR99
搜索热度
2200
风险等级
2.19
YTEOL
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雪崩能效等级（Eas）
80 mJ
外壳连接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
100 V
最大漏极电流 (ID)
40 A
最大漏源导通电阻
0.016 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码
S-PDSO-N8
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
元件数量
1
端子数量
8
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
最低工作温度
-55 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
SQUARE
封装形式
SMALL OUTLINE
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
63 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
160 A
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子面层
Tin (Sn)
端子形式
NO LEAD
端子位置
DUAL
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
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