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首页 > 电子元器件选型 > 晶体管 > 小信号场效应晶体管

BSS169L6327

加入BOM

BSS169L6327
已加入BOM:

Rochester Electronics LLC
  • Infineon
  • Rochester Electronics LLC

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

市场均价：
¥1.1449
市场总库存：
-
生命周期状态： Obsolete
8.4危险风险等级:设计产品长期
技术详情
价格 & 库存

详细参数

Source Content uid
BSS169L6327
是否Rohs认证
符合
生命周期
Obsolete
包装说明
GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
针数
3
是否符合REACH标准
compliant
ECCN代码
EAR99
搜索热度
101
风险等级
8.41
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
100 V
最大漏极电流 (ID)
0.17 A
最大漏源导通电阻
6 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)
7 pF
JESD-30 代码
R-PDSO-G3
湿度敏感等级
1
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
DEPLETION MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）
260
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
0.36 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
晶体管元件材料
SILICON
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