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BSC034N03LSGATMA1

加入BOM

BSC034N03LSGATMA1
已加入BOM:

Infineon

Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 30V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8

市场均价：
¥2.6689
市场总库存：
30,760
生命周期状态： Not Recommended
8.2危险风险等级:设计产品长期
技术详情
价格 & 库存
替代料

详细参数

Source Content uid
BSC034N03LSGATMA1
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
符合
生命周期
Not Recommended
包装说明
GREEN, PLASTIC, TDSON-8
针数
8
是否符合REACH标准
not_compliant
ECCN代码
EAR99
搜索热度
194
风险等级
8.2
其他特性
LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）
55 mJ
外壳连接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
30 V
最大漏极电流 (ID)
22 A
最大漏源导通电阻
0.0051 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码
R-PDSO-N8
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
元件数量
1
端子数量
8
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)
400 A
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子面层
Tin (Sn)
端子形式
NO LEAD
端子位置
DUAL
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
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