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Transistors > RF Power Field-Effect Transistors

BLA6H0912L-1000U

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BLA6H0912L-1000U
Added to BOM:

Rochester Electronics LLC
  • Ampleon
  • Flip Electronics
  • Rochester Electronics LLC

RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-4

Market Average：
-
Total Inventory：
-
Lifecycle Status： Contact Manufacturer
5.3HighRisk Rank:DesignProductionLong Term
Technical Details
Price & Stock

Parametrics

Rohs Code
符合
Part Life Cycle Code
Contact Manufacturer
Package Description
ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-4
Reach Compliance Code
compliant
ECCN Code
EAR99
Factory Lead Time
16 weeks
Popularity
285
Risk Rank
5.25
Case Connection
SOURCE
Configuration
COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
DS Breakdown Voltage-Min
100 V
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Highest Frequency Band
L BAND
JESD-30 Code
R-CDFM-F4
Number of Elements
2
Number of Terminals
4
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
Peak Reflow Temperature (Cel)
NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type
N-CHANNEL
Reference Standard
IEC-60134
Surface Mount
YES
Terminal Form
FLAT
Terminal Position
DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)
NOT SPECIFIED
Transistor Application
AMPLIFIER
Transistor Element Material
SILICON
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