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首页 > 电子元器件选型 > 晶体管 > 功率双极晶体管

BCP53TA

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BCP53TA
已加入BOM:

Diodes Incorporated

Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin

市场均价：
¥1.253
市场总库存：
858
生命周期状态： Transferred
7.4高风险等级:设计产品长期
技术详情
价格 & 库存

详细参数

是否Rohs认证
不符合
生命周期
Transferred
是否符合REACH标准
unknown
ECCN代码
EAR99
搜索热度
307
风险等级
7.36
外壳连接
COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)
1 A
集电极-发射极最大电压
80 V
配置
SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)
25
JESD-30 代码
R-PDSO-G4
元件数量
1
端子数量
4
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
极性/信道类型
PNP
最大功率耗散 (Abs)
1.5 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
晶体管应用
AMPLIFIER
晶体管元件材料
SILICON
标称过渡频率 (fT)
125 MHz
VCEsat-Max
0.5 V
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