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Memory > DRAMs

AS4C4M16SA-6TIN

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AS4C4M16SA-6TIN
Added to BOM:

Alliance Memory

Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, TSOP2-54

Market Average：
¥21.8391
Total Inventory：
311,306
Lifecycle Status： Active
0.6LowRisk Rank:DesignProductionLong Term
Technical Details
Price & Stock
Xrefs

Parametrics

Rohs Code
符合
Part Life Cycle Code
Active
Package Description
TSOP2-54
Reach Compliance Code
compliant
ECCN Code
EAR99
HTS Code
8542.32.00.02
Factory Lead Time
8 weeks
Popularity
1559
Risk Rank
0.59
Access Mode
FOUR BANK PAGE BURST
Access Time-Max
5.4 ns
Additional Feature
AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 Code
R-PDSO-G54
Length
22.22 mm
Memory Density
67108864 bit
Memory IC Type
SYNCHRONOUS DRAM
Memory Width
16
Moisture Sensitivity Level
3
Number of Functions
1
Number of Ports
1
Number of Terminals
54
Number of Words
4194304 words
Number of Words Code
4000000
Operating Mode
SYNCHRONOUS
Operating Temperature-Max
85 °C
Operating Temperature-Min
-40 °C
Organization
4MX16
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
TSOP2
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
Seated Height-Max
1.2 mm
Self Refresh
YES
Supply Voltage-Max (Vsup)
3.6 V
Supply Voltage-Min (Vsup)
3 V
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
Surface Mount
YES
Technology
CMOS
Temperature Grade
INDUSTRIAL
Terminal Finish
TIN
Terminal Form
GULL WING
Terminal Pitch
0.8 mm
Terminal Position
DUAL
Width
10.16 mm
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