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Transistors > RF Power Field-Effect Transistors

ARF463AP1G

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ARF463AP1G
Added to BOM:

Microchip Technology Inc

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, ROHS COMPLIANT, TO-247, 3 PIN

Market Average：
¥247.6123
Total Inventory：
227
Lifecycle Status： Transferred
8.0DanRisk Rank:DesignProductionLong Term
Technical Details
Price & Stock
Xrefs

Parametrics

Part Life Cycle Code
Transferred
Package Description
ROHS COMPLIANT, TO-247, 3 PIN
Reach Compliance Code
unknown
ECCN Code
EAR99
Popularity
428
Risk Rank
7.98
Case Connection
SOURCE
Configuration
SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min
500 V
Drain Current-Max (ID)
9 A
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Highest Frequency Band
VERY HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95 Code
TO-247AD
JESD-30 Code
R-PSFM-T3
Number of Elements
1
Number of Terminals
3
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
Polarity/Channel Type
N-CHANNEL
Qualification Status
Not Qualified
Surface Mount
NO
Terminal Form
THROUGH-HOLE
Terminal Position
SINGLE
Transistor Application
AMPLIFIER
Transistor Element Material
SILICON
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