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首页 > 电子元器件选型 > 晶体管 > 射频场效应晶体管

ARF463AP1G

加入BOM

ARF463AP1G
已加入BOM:

Microchip Technology Inc

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, ROHS COMPLIANT, TO-247, 3 PIN

市场均价：
¥248.4855
市场总库存：
227
生命周期状态： Transferred
8.0危险风险等级:设计产品长期
技术详情
价格 & 库存
替代料

详细参数

生命周期
Transferred
包装说明
ROHS COMPLIANT, TO-247, 3 PIN
是否符合REACH标准
unknown
ECCN代码
EAR99
搜索热度
425
风险等级
7.98
外壳连接
SOURCE
配置
SINGLE
最小漏源击穿电压
500 V
最大漏极电流 (ID)
9 A
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带
VERY HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码
TO-247AD
JESD-30 代码
R-PSFM-T3
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
极性/信道类型
N-CHANNEL
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
晶体管应用
AMPLIFIER
晶体管元件材料
SILICON
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