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Transistors > Power Field-Effect Transistors

APT8030LVRG

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APT8030LVRG
Added to BOM:

Microchip Technology Inc

Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 800V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA

Market Average：
¥139.3172
Total Inventory：
125
Lifecycle Status： Active
6.6HighRisk Rank:DesignProductionLong Term
Technical Details
Price & Stock
Xrefs

Parametrics

Rohs Code
符合
Part Life Cycle Code
Active
Package Description
TO-264, 3 PIN
Reach Compliance Code
compliant
ECCN Code
EAR99
Factory Lead Time
20 weeks
Popularity
151
Risk Rank
6.59
Avalanche Energy Rating (Eas)
2500 mJ
Case Connection
DRAIN
Configuration
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min
800 V
Drain Current-Max (ID)
27 A
Drain-source On Resistance-Max
0.3 Ω
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code
TO-264AA
JESD-30 Code
R-PSFM-T3
JESD-609 Code
e1
Number of Elements
1
Number of Terminals
3
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
Polarity/Channel Type
N-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
108 A
Qualification Status
Not Qualified
Surface Mount
NO
Terminal Finish
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Terminal Form
THROUGH-HOLE
Terminal Position
SINGLE
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
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