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AIMDQ75R008M1H

加入BOM

AIMDQ75R008M1H
已加入BOM:

Infineon

Power Field-Effect Transistor, 173A I(D), 750V, 0.0106ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, HDSOP-22

市场均价：
-
市场总库存：
-
生命周期状态： Active
7.7危险风险等级:设计产品长期
技术详情

详细参数

是否Rohs认证
符合
生命周期
Active
包装说明
HDSOP-22
是否符合REACH标准
compliant
搜索热度
4
风险等级
7.7
YTEOL
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雪崩能效等级（Eas）
926 mJ
外壳连接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
750 V
最大漏极电流 (ID)
173 A
最大漏源导通电阻
0.0106 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)
37 pF
JESD-30 代码
R-PDSO-G22
元件数量
1
端子数量
22
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
175 °C
最低工作温度
-55 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
625 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
708 A
参考标准
AEC-Q101
表面贴装
YES
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON CARBIDE
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