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Transistors > IGBTs

AIKW75N60CTXKSA1

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AIKW75N60CTXKSA1
Added to BOM:

Infineon

Insulated Gate Bipolar Transistor,

Market Average：
¥97.4775
Total Inventory：
423
Lifecycle Status： Active
6.8HighRisk Rank:DesignProductionLong Term
Technical Details
Price & Stock

Parametrics

Rohs Code
符合
Part Life Cycle Code
Active
Reach Compliance Code
compliant
ECCN Code
EAR99
Factory Lead Time
13 weeks
Popularity
197
Risk Rank
6.8
YTEOL
登录后查看
Collector Current-Max (IC)
80 A
Collector-Emitter Voltage-Max
600 V
Configuration
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Gate-Emitter Thr Voltage-Max
5.7 V
Gate-Emitter Voltage-Max
20 V
JEDEC-95 Code
TO-247
JESD-30 Code
R-PSFM-T3
JESD-609 Code
e3
Number of Elements
1
Number of Terminals
3
Operating Temperature-Max
175 °C
Operating Temperature-Min
-40 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
Polarity/Channel Type
N-Channel
Power Dissipation-Max (Abs)
428 W
Reference Standard
AEC-Q101
Surface Mount
NO
Terminal Finish
Tin (Sn)
Terminal Form
THROUGH-HOLE
Terminal Position
SINGLE
Transistor Application
POWER CONTROL
Transistor Element Material
SILICON
Turn-off Time-Nom (toff)
365 ns
Turn-on Time-Nom (ton)
69 ns
VCEsat-Max
2 V
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