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AFV10700HR5

加入BOM

AFV10700HR5
已加入BOM:

NXP

RF Power Field-Effect Transistor

市场均价：
¥3046.0332
市场总库存：
37
生命周期状态： Active
2.1低风险等级:设计产品长期
技术详情
价格 & 库存

详细参数

Source Content uid
AFV10700HR5
是否Rohs认证
符合
生命周期
Active
是否符合REACH标准
compliant
ECCN代码
EAR99
HTS代码
8541.29.00
交付时间
10 weeks
Date Of Intro
2017-05-28
搜索热度
288
风险等级
2.12
外壳连接
SOURCE
配置
COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压
105 V
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)
1.16 pF
最高频带
L BAND
JESD-30 代码
R-CDFM-F4
元件数量
2
端子数量
4
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
225 °C
最低工作温度
-55 °C
封装主体材料
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）
260
极性/信道类型
N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)
18 dB
表面贴装
YES
端子形式
FLAT
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
40
晶体管应用
AMPLIFIER
晶体管元件材料
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