安森美发布全新SiC MOSFET方案;ST新增高能效和低功耗控制器;英飞凌新推驱动 IC

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元器件产品随着应用场景而不断升级,行业大厂又有什么新品及新方案?欢迎进入今日bom2buy器件速递。


安森美发布全新SiC MOSFET方案


图源|安森美

安森美半导体推出了两个新系列:1200伏(V)和900V N沟道 SiC MOSFET,扩展了其宽禁带(WBG)器件系列。

NTHL020N120SC1的设计旨在在1200V的阻断电压(VDSS)下提供极低的导通损耗。此外,它被设计为以低内部门极电阻(Rg =1.81Ω)和低输出电容(Coss = 260pF)快速驱动。


ST推出超低功耗微控制器

图源|stmcu.org.cn

STMicroelectronics(ST)的STM32L5超低功耗微控制器采用集成ArmTrustZone®硬件安全技术的Arm®Cortex®-M33内核,并具有一组保护功能和嵌入式高速存储器,性能高,功耗低。

STM32L5器件内置高速存储器(高达512KB闪存和256KBSRAM),以及用于静态存储的灵活外部存储控制器(对于引脚数为100及以上的器件)。

其他外设还包括八通道SPI闪存接口,以及一系列可连接两根APB总线、两根AHB总线和一个32位多AHB总线矩阵的增强型I/O和外设。

此器件集成了ST的ART加速器™,能够让64位程序闪存在以高达110MHz的时钟速度和165DMIPS运行时,进行零等待访问。


ST新增高能效和低功耗控制器


图源|stmcu.org.cn

ST推出高能效和低功耗为特色的反激式转换器副边同步整流(SR)芯片SRK1000A和SRK1000B,

该产品系列现在新增一款更划算、封装更小的产品,可用于充电器、快速充电器、适配器和USB PD端口。

这两款器件采用最小延迟快速导通设计和创新的自适应关断技术,无需增加外部组件即可最大限度延长同步整流MOSFET管的导通时间,并最大程度降低电路中的寄生电感效应。SRK1000A和SRK1000B两款产品都能用于各种反激式控制器。


英飞凌推出驱动 IC


图源|led-profressional.com

英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出一款恒定电流的线性 LED 驱动 IC BCR431U,能在调节 LED 电流时提供较低的电压降。

该产品为新一代 BCR 系列的第二款产品,具有低压降特性,针对最高 37 mA 的低电流所设计。

新款 BCR431U 的典型应用包括 LED 灯条、广告招牌、建筑 LED 照明、LED 显示器,以及应急、零售和家电照明。

此集成驱动 IC 在 15 mA 电流下的压降仅 105 mV,效能领先业界,为照明应用提供了更多的设计弹性。


美信发布MAX32664可穿戴光学测量方案


图源|Mouser electronics

MAX32664是Maxim新一代超低功MCU产品,它具备如下特点:

  1. 超强运算能力:超低功耗ARM M4核的MCU,带有浮点运算单元 (FPU),最高运行时钟96MHz输入文字
  2. 外设资源:一个SPI/I2C 接口完成与传感器的通信,一个I2C slave与主机进行通信;支持RTC和UART
  3. 超小体积:WLP(1.6mm x 1.6mm x 0.65mm)
  4. 超低功耗:工作模式:45uW/MHz,数据保持模式:85nW/KB

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