IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种功率晶体管，具有高电压、高速度、低开关损耗等特点。它广泛应用于交流调光、变频器、电力逆变器等领域，可以实现对电能的调节和控制。下面将分别介绍IGBT的定义以及工作原理。
1. IGBT是什么意思?
IGBT是一种三极半导体器件，由PNP型或NPN型二极管和N沟道或P沟道MOSFET组成。其结构类似于MOSFET，但与MOSFET不同的是，IGBT具有BJT（双极型晶体管）的驱动特性，可以实现较大的电流放大系数和低电压控制。
2. IGBT工作原理
IGBT的工作原理可以简单地概括为：通过输入信号控制IGBT内部PNP型或NPN型二极管和N沟道或P沟道MOSFET之间的导通状态，从而实现对电流和电压的调节。
具体来说，当输入信号为高电平时，IGBT的栅极会使得PNP型或NPN型二极管处于导通状态，同时加速N沟道或P沟道MOSFET处于导通状态，电流可以通过IGBT流向负载端。
当输入信号为低电平时，IGBT的栅极不再加速PNP型或NPN型二极管和N沟道或P沟道MOSFET的导通，IGBT处于截止状态，电流停止流动。
需要注意的是，在使用IGBT时，应该选择合适的规格和型号，并遵循相应的安装、操作规程，以确保其正常工作。同时，需要注意防潮、防静电等问题，以延长使用寿命。