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首页 > 搜索型号 “sihb12n60ege3”数量:“1”
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全部结果 >> 仅显示有库存 仅显示完全匹配
完全匹配型号 (2)
没有搜索到和“sihb12n60ege3”完全匹配的型号,请检查型号输入是否正确,或减少筛选条件试试。
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搜索热度:-
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ECAD:
, MOSFET, N, 600V, 12A, TO-263
分销商 生产日期码 库存信息/封装 交货地 阶梯: 人民币价格(含税) 美元价格 采购量 操作
element14 授权
型号:SIHB12N60E-GE3
制造商:Vishay
分销商编号:2364071
- 534
Each
  • 1+ ¥16.4493 0.0000
  • 10+ ¥13.6668 0.0000
  • 100+ ¥10.0660 0.0000
  • 500+ ¥9.1658 0.0000
  • 1,000+ ¥7.7746 0.0000
  • 5,000+ ¥7.6927 0.0000
-+
起订量:1
递增量:1
小计:-
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SIHB12N60E-GE3
已加入BOM:

SIHB12N60E-GE3
已加入 Default List -

DigiKey 授权
型号:SIHB12N60E-GE3
制造商:Vishay
分销商编号:SIHB12N60E-GE3-ND
- -
  • 1+ ¥7.3762 $0.9700
  • 10+ ¥6.9884 $0.9190
  • 100+ ¥7.3762 $0.9700
  • 500+ ¥6.3686 $0.8375
-+
起订量:1
递增量:1
小计:-
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SIHB12N60E-GE3
已加入BOM:

SIHB12N60E-GE3
已加入 Default List -

Farnell
型号:SIHB12N60E-GE3
制造商:Vishay
- 534
Each
  • 1+ ¥16.8186 0.0000
  • 10+ ¥13.9626 0.0000
  • 100+ ¥11.1067 0.0000
  • 500+ ¥9.3084 0.0000
  • 1,000+ ¥8.1132 0.0000
  • 5,000+ ¥7.9651 0.0000
-+
起订量:1
递增量:1
小计:-
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SIHB12N60E-GE3
已加入BOM:

SIHB12N60E-GE3
已加入 Default List -

Newark
型号:SIHB12N60E-GE3
制造商:Vishay
1 534
Bulk
  • 1+ 0.0000 $2.3600
  • 10+ 0.0000 $2.0200
  • 25+ 0.0000 $1.9100
  • 50+ 0.0000 $1.7900
  • 100+ 0.0000 $1.6800
  • 500+ 0.0000 $1.4700
-+
起订量:1
递增量:1
小计:-
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SIHB12N60E-GE3
已加入BOM:

SIHB12N60E-GE3
已加入 Default List -

Avnet Americas
型号:SIHB12N60E-GE3
制造商:Vishay
- -
  • 1,000+ ¥6.8539 $0.8375
  • 2,000+ ¥6.7443 $0.8242
  • 4,000+ ¥6.6382 $0.8112
  • 6,000+ ¥6.5275 $0.7977
  • 8,000+ ¥6.4508 $0.7883
-+
起订量:1,000
递增量:1,000
小计:-
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SIHB12N60E-GE3
已加入BOM:

SIHB12N60E-GE3
已加入 Default List -

TME
型号:SIHB12N60E-GE3
制造商:Vishay
- -
  • 1+ ¥14.8125 $1.8100
  • 10+ ¥12.4393 $1.5200
  • 50+ ¥10.5570 $1.2900
  • 100+ ¥9.7386 $1.1900
  • 500+ ¥8.9203 $1.0900
-+
起订量:1
递增量:1
小计:-
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SIHB12N60E-GE3
已加入BOM:

SIHB12N60E-GE3
已加入 Default List -

Bristol Electronics
型号:SIHB12N60E-GE3
制造商:Vishay
- 500 -
  • - - -
-+
起订量:1
递增量:1
小计:-
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SIHB12N60E-GE3
已加入BOM:

SIHB12N60E-GE3
已加入 Default List -

EBV Elektronik
型号:SIHB12N60E-GE3
制造商:Vishay
- - -
  • - - -
-+
起订量:50
递增量:50
小计:-
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SIHB12N60E-GE3
已加入BOM:

SIHB12N60E-GE3
已加入 Default List -

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搜索热度:-
生命周期:-
ECAD:
POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
分销商 生产日期码 库存信息/封装 交货地 阶梯: 人民币价格(含税) 美元价格 采购量 操作
ComSIT Asia
型号:SIHB12N60EGE3
制造商:Vishay
- 900 -
  • - - -
-+
起订量:1
递增量:1
小计:-
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SIHB12N60EGE3
已加入BOM:

SIHB12N60EGE3
已加入 Default List -

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