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部分匹配型号 (6)
晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：350mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：500mV@500mA,50m
| 分销商 | 生产日期码 | 库存信息/封装 | 交货地 | 阶梯： 人民币价格(含税) 美元价格 | 采购量 | 操作 |
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硅外延平面晶体管 100nA 25V 350mW 100@100mA,1V 600mA 100MHz 500mV@500mA,50mA PNP +150℃@(Tj) SOT-23-3L
| 分销商 | 生产日期码 | 库存信息/封装 | 交货地 | 阶梯： 人民币价格(含税) 美元价格 | 采购量 | 操作 |
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硅外延平面晶体管 200mW 1.5A PNP 25V 100nA 120MHz 500mV@800mA,80mA +150℃@(Tj) 160@100mA,1V SOT-23-3L
| 分销商 | 生产日期码 | 库存信息/封装 | 交货地 | 阶梯： 人民币价格(含税) 美元价格 | 采购量 | 操作 |
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